Фотошаблоны: Фотошаблоны проекционные и контактные | МВЦ твердотельной микроэлектроники (Нижний Новгород)

Фотошаблон | это… Что такое Фотошаблон?

Пример рисунка фотошаблона для микроэлектроники. Видны вспомогательные структуры для коррекции дифракции.

Фотошабло́н — стеклянная или иная пластина либо полимерная пленка со сформированным на ее поверхности рисунком элементов схем из материала, не пропускающего актиничное излучение.

Фотошаблон является одним из основных инструментов при создании заданного рельефного защитного покрытия при проведении фотолитографии в планарной технологии. В зависимости от материала пленочного покрытия различают фотошаблоны на основе:

• фотографической эмульсии (эмульсионные фотошаблоны)
• металлической пленки (металлические фотошаблоны)
• окиси железа (цветные фотошаблоны)

Содержание 1 Типы фотошаблонов 2 Рынок производства фотошаблонов 3 Примечания 4 Литература

Типы фотошаблонов

Негативный фотошаблон (темнопольный) — фотошаблон, на котором изображение элементов схемы представлено в виде светлых участков на непрозрачном фоне.

Позитивный фотошаблон (светлопольный) — фотошаблон, на котором изображение элементов схемы представлено в виде непрозрачных для актиничного излучения участков на светлом прозрачном фоне.

Металлизированный фотошаблон — фотошаблон, на котором изображение элементов схемы сформировано тонкой металлической пленкой.

Транспарентный (цветной) фотошаблон — фотошаблон, на котором изображение элементов схем сформировано покрытием, не пропускающим актиничное излучение и пропускающим неактиничное (видимая область спектра) для фоторезиста излучение.

Эмульсионный фотошаблон — фотошаблон, на котором изображение элементов схемы образовано галоидо-серебряной фотографической эмульсией.

Рынок производства фотошаблонов

На ежегодной конференции SPIE, компания Photomask Technology предоставила исследование мирового рынка производства фотошаблонов для микроэлектроники. По состоянию на 2009 год крупнейшими производителями были:

[1]

• Infinite Graphics Incorporated
• Dai Nippon Printing
• Toppan Photomasks
• Photronics Inc
• Hoya Corporation
• Taiwan Mask Corporation
• Compugraphics Photomask Solutions

Многие крупнейшие производители микроэлектроники, такие как Intel, GlobalFoundries, IBM, NEC, TSMC, Samsung и Micron Technology, имели либо собственные мощности по производству шаблонов, либо создавали между собой совместные предприятия для этих целей.

Стоимость создания производства фотошаблонов (так называемого Mask shop) для техпроцесса 45 нм оценивается в 200–500 млн долларов США, что создает существенные препятствия для выхода на этот рынок.

Стоимость одного фотошаблона для заказчика составляет от 1 до 10 тысяч долларов (оценки от 2007 года)^[2] или до 200 тысяч (оценка SEMATECH от 2011 года)^[3], в зависимости от требований. Наиболее дорогими являются фазосдвигающие маски для самых тонких техпроцессов. Для производства микросхемы требуется набор из порядка 20-30 масок различной стоимости или более^[3].

Длительность изготовления и проверки одной маски от 5 до 23 дней в зависимости от использованных технологий.

[4]

Одна маска по исследованиям SEMATECH, используется для изготовления приблизительно от 0,5 тыс до 5 тыс полупроводниковых пластин (wafers)^[3].

Примечания

1. ↑ Hughes, Greg; Henry Yun (2009-10-01). «Mask industry assessment: 2009». Proceedings of SPIE 7488 (1): 748803-748803-13. DOI:10.1117/12.832722. ISSN 0277786X.
2. ↑ people.rit.edu/lffeee/LEC_MASK.pdf — Introduction to Maskmaking Dr. Lynn Fuller // Rochester Institute of Technology, Microelectronic Engineering — 2007
3. ↑ ^{1 2 3} Principles of Lithography, Third Edition, SPIE Press, 2011 ISBN 978-0819483249 11.1.3 Mask costs
4. ↑ http://books.google.ru/books?id=A3xxa40XNzIC&pg=SA8-PA5 (2005)

Литература

• Hwaiyu Geng, Semiconductor manufacturing handbook. ISBN 978-007146965-4, McGraw-Hill Handbooks 2005, doi:10.1036/0071445595. Раздел 8 Photomask (Charles Howard, DuPont)

Фотошаблоны, Фотошаблоны, Изготовление фотошаблонов, Печать фотошаблонов

Фото Маска

PAM-СЯМЫНЬ ПредложенияPhotomasks

Фотошаблон большого размера

Фотошаблон Middium и малый размер

Фотографическая пластина

Фотопленка высокой печати

Фотопленка

Хромированная фотомаска

Хромированная фотомаска Бланк

Маска для фотолитографии

фото маскапредставляет собой тонкое покрытие из маскирующего материала, поддерживаемое более толстой подложкой, и маскирующий материал поглощает свет в различной степени и может иметь узор с индивидуальным дизайном. Шаблон используется для модуляции света и передачи рисунка в процессе фотолитографии, который является фундаментальным процессом, используемым для создания почти всех современных цифровых устройств.

Что такое фотошаблон

Фотомаска — это непрозрачная пластина с отверстиями или прозрачными пленками, через которые свет проходит через определенный узор. Они обычно используются в фотолитографии. Литографическийфотошаблоныобычно представляют собой прозрачные заготовки из плавленого кварца, покрытые узором, образованным хромовой пленкой, поглощающей металл.Photomasks are used at wavelengths of 365 nm, 248 nm, and 193 nm. Photomasks have also been developed for other forms of radiation such as 157 nm, 13.5 nm (EUV), X-ray, electrons, and ions; but these require entirely new materials for the substrate and the pattern film. A set of photomask, each defining a pattern layer in integrated circuit fabrication, is fed into a photolithography stepper or scanner, and individually selected for exposure. In double patterning techniques, a photomask would correspond to a subset of the layer pattern. In photolithography for the mass production of integrated circuit devices, the more correct term is usually photoreticle or simply reticle. In the case of a photomask, there is a one-to-one correspondence between the mask pattern and the wafer pattern. This was the standard for the 1:1 mask aligners that were succeeded by steppers and scanners with reduction optics. As used in steppers and scanners, the reticle commonly contains only one layer of the chip. (However, some photolithography fabrications utilize reticles with more than one layer patterned onto the same mask). The pattern is projected and shrunk by four or five times onto the wafer surface. To achieve complete wafer coverage, the wafer is repeatedly “stepped” from position to position under the optical column until full exposure is achieved. Features 150 nm or below in size generally require phase-shifting to enhance the image quality to acceptable values. This can be achieved in many ways. The two most common methods are to use an attenuated phase-shifting background film on the mask to increase the contrast of small intensity peaks, or to etch the exposed quartz so that the edge between the etched and unetched areas can be used to image nearly zero intensity. In the second case, unwanted edges would need to be trimmed out with another exposure. The former method is attenuated phase-shifting, and is often considered a weak enhancement, requiring special illumination for the most enhancement, while the latter method is known as alternating-aperture phase-shifting, and is the most popular strong enhancement technique. As leading-edge semiconductor features shrink, photomask features that are 4× larger must inevitably shrink as well. This could pose challenges since the absorber film will need to become thinner, and hence less opaque. A recent study by IMEC has found that thinner absorbers degrade image contrast and therefore contribute to line-edge roughness, using state-of-the-art photolithography tools. One possibility is to eliminate absorbers altogether and use “chromeless” masks, relying solely on phase-shifting for imaging. The emergence of immersion lithography has a strong impact on photomask requirements. The commonly used attenuated phase-shifting mask is more sensitive to the higher incidence angles applied in “hyper-NA” lithography, due to the longer optical path through the patterned film.

Материалы маски — Разница между кварцевым и натриевым стеклом:

Наиболее распространенными видами стекла для изготовления масок являются кварцевое и натриевое. Кварц более дорогой, но имеет преимущество в гораздо более низком коэффициенте теплового расширения (что означает, что он меньше расширяется, если маска нагревается во время использования), а также прозрачен на более глубоких длинах волн ультрафиолета (DUV), где натриево-известковое стекло непрозрачно. Кварц необходимо использовать там, где длина волны, используемая для экспонирования маски, меньше или равна 365 нм (i-линия). Маска для фотолитографии представляет собой непрозрачную пластину или пленку с прозрачными областями, которые позволяют свету проходить через определенный узор. Они обычно используются в процессах фотолитографии, но также используются во многих других приложениях в широком спектре отраслей и технологий. Для разных приложений существуют разные типы масок, в зависимости от необходимого разрешения.

Для получения дополнительных сведений о продукте свяжитесь с нами по адресу [email protected] или [email protected].

 

1X Мастер Маска

1X размеры основной маски и материалы подложки

Продукт	Размеры	Материалы подложки
1X Мастер	4 дюйма X4 дюйма X0,060 дюйма или 0,090 дюйма	Кварц и содовая известь
	5 дюймов X5 дюймов X0,090 дюйма	Кварц и содовая известь
	6 дюймов X6 дюймов X0,120 дюйма или 0,250 дюйма	Кварц и содовая известь
	7 дюймов X7 дюймов X0,120 дюйма или 0,150 дюйма	Кварц и содовая известь
	7,25 дюйма, круглый X 0,150 дюйма	кварцевый
	9 ”X9” X0. 120 ”или 0.190”	Кварц и содовая известь

 

Общие характеристики 1X Master Masks (кварцевый материал)

Размер компакт-диска	CD Среднее-номинальное	CD-однородность	Регистрация	Размер дефекта
2,0 мкм	≤0,25 мкм	≤0,25 мкм	≤0,25 мкм	≥2,0 мкм
4.0 мкм	≤0,30 мкм	≤0,30 мкм	≤0,30 мкм	≥3,5 мкм

 

Общая спецификация для 1X Master Masks (натронная известь)

Размер компакт-диска	CD Среднее-номинальное	CD-однородность	Регистрация	Размер дефекта
≤4 мкм	≤0,25 мкм	—-	≤0,25 мкм	≥3,0 мкм
＞ 4 мкм	≤0,30 мкм	—-	≤0,45 мкм	≥5,0 мкм

 

UT1X Маска

Размеры маски UT1X и материалы подложки

Продукт	Размеры	Материал подложки
UT1X	3 ″ X5 ″ X0,090 ″	кварцевый
	5 ″ X5 ″ X0,090 ″	кварцевый
	6 ″ X6 ″ X0,120 ″ или 0,250 ″	кварцевый

 

Общие характеристики масок UT1X

Размер компакт-диска	CD Среднее-номинальное	CD-однородность	Регистрация	Размер дефекта
1,5 мкм	≤0,15 мкм	≤0,15 мкм	≤0,15 мкм	≥0,50 мкм
3,0 мкм	≤0,20 мкм	≤0,20 мкм	≤0,20 мкм	≥0,60 мкм
4. 0 мкм	≤0,25 мкм	≤0,25 мкм	≤0,20 мкм	≥0,75 мкм

 

Стандартные двоичные маски

Стандартные бинарные размеры маски и материалы подложки

Продукт	Размеры	Материалы подложки
2X	6 ″ X 6 ″ X0,250 ″	кварцевый
В 2,5 раза
4X
5X	5 ″ X5 ″ X0,090 ″	кварцевый
	6 ″ X6 ″ X0,250 ″	кварцевый

 

Общие спецификации для стандартных двоичных масок

Размер компакт-диска	CD Среднее-номинальное	CD-однородность	Регистрация	Размер дефекта
2,0 мкм	≤0,10 мкм	≤0,15 мкм	≤0,10 мкм	≥0,50 мкм
3,0 мкм	≤0,15 мкм	≤0,15 мкм	≤0,15 мкм	≥0,75 мкм
4. 0 мкм	≤0,20 мкм	≤0,20 мкм	≤0,20 мкм	≥1,00 мкм

 

Маски средней площади

Размеры и материалы маски средней площади

Продукт	Размеры	Материалы подложки
1X	9 ″ X9 ″ 0,120 ″	Кварцевая натронная известь (доступны поглотители как хрома, так и оксида железа)
	9 ″ X9 ″ 0,190 ″	кварцевый

 

Общие характеристики масок средней площади (кварцевый материал)

Размер компакт-диска	CD Среднее-номинальное	CD-однородность	Регистрация	Размер дефекта
0,50 мкм	≤0,20 мкм	—-	≤0,15 мкм	≥1,50 мкм

 

Общие характеристики масок средней площади (натронная известь)

Размер компакт-диска	CD Среднее-номинальное	CD-однородность	Регистрация	Размер дефекта
10 мм	≤4,0 мкм	—-	≤4,0 мкм	≥10 мкм
4 мкм	≤2,0 мкм	—-	≤1,0 мкм	≥5 мкм
2,5 мкм	≤0,5 мкм	—-	≤0,75 мкм	≥3 мкм

Toppan Photomasks Inc.

— Новости

11 января 2023 г. — Toppan Photomasks и EVG совместно написали информационный документ, в котором рассматривается процесс производства Metalenses с использованием литографии Nanoimprint (NIL). Технология NIL от EVG в сочетании с высококачественным мастерингом от Toppan позволяет производить эти сложные металинзы или метаструктуры.

(продолжение)

11 января 2023 г. —

СТ. ФЛОРИАН , Австрия и ТОКИО, 19 сентября 2022 г. —EV Group (EVG), ведущий поставщик оборудования для склеивания пластин и литографии для рынков МЭМС, нанотехнологий и полупроводников, и Toppan Photomask Co. Ltd., ведущий мировой поставщик фотошаблонов объявили о заключении соглашения о совместном продвижении наноимпринтной литографии (NIL) в качестве процесса крупносерийного производства (HVM) для индустрии фотоники.

(продолжение)

19 сентября, 2022 —

Токио — 1 апреля 2022 г. — Toppan (TYO: 7911), мировой лидер в области коммуникаций, безопасности, упаковки, декоративных материалов и электронных решений, заключил соглашение о передаче акций, чтобы выделить свой бизнес по производству полупроводниковых фотомасок и создать новый компания Toppan Photomask Co., Ltd. (Toppan Photomask) с независимой японской частной инвестиционной компанией Integral Corporation (Integral) в качестве инвестиционного партнера. Toppan Photomask начинает работу сегодня как совместное предприятие Toppan и Integral. Компания будет стимулировать дальнейший рост и укреплять конкурентоспособность как независимая бизнес-структура, которая продолжит поддерживать быстрорастущую полупроводниковую промышленность.

(продолжение)

1 апреля 2022 г. —

2021년 11월 10일에 TOPPAN INC에서 결의된, 반도체용 포토마스크 사업 재편에 따라
반도체
TOPPAN ELECTRONICS KOREA INC로 년 4월 1일 사업 양도를 이행할 예정입니다.

В соответствии с решением Toppan Inc. от 10 ноября 2021 г. реорганизация бизнеса по производству фотомасок для полупроводников для предприятий, отличных от производства и продажи полупроводниковых фотомасок, во вновь созданную компанию. Передача бизнеса будет осуществлена ​​1 апреля 2022 г. от Toppan Photomasks, Korea LTD к Toppan Electronics Korea Inc (продолжение)

22 февраля 2022 г. —

Раунд-Рок, Техас, 8 апреля 2021 г. — Компания Toppan Photomasks, Inc. объявила сегодня о получении награды от Texas Instruments (TI) за выдающиеся достижения в области поставщиков 2020 года. Награда признает исключительную приверженность и эффективность элитной группы, которая соответствует высоким стандартам качества TI от более чем 12 000 поставщиков. (продолжение)

8 апреля 2021 г. —

Toppan Photomasks, Inc., дочерняя компания Toppan Printing Co. , Ltd., зарегистрированной в Токио, и GLOBALFOUNDRIES (GF), ведущая мировая литейная компания, сегодня объявили о заключении многолетнего соглашения о поставках, в соответствии с которым Toppan предоставить GF фотомаски и сопутствующие услуги, которые в настоящее время поддерживаются предприятием GF по производству фотомасок в Берлингтоне, штат Вермонт, США. (продолжение)

13 августа 2019 г. — Раунд-Рок, Техас

Компания

Toppan Photomasks, Inc. сегодня объявила о том, что она получила награду за выдающиеся достижения в области поставщиков 2018 года от Texas Instruments (TI). Награда признает исключительную приверженность и эффективность элитной группы, которая соответствует высоким стандартам качества TI от более чем 11 000 поставщиков.

(продолжение)

15 апреля 2019 г. — Раунд-Рок, Техас

Инвестиции в Китай для расширения самой передовой системы производства фотомаски в Азии

(продолжение)

23 января 2018 г. — Раунд-Рок, Техас

Toppan Printing Co., Ltd. (Toppan), ведущий мировой производитель фотомаски, сегодня объявила о согласии вступить в капитальный и деловой альянс с корпорацией SCIVAX, создав первую в мире систему массового производства, способную наносить наноимпринтинг на большие площади, расширяя целевой рынок и расширение области применения этой недорогой технологии микрообработки.

(продолжение)

17 ноября 2016 г. — Токио, Япония

Компания расширяет свое присутствие на китайском рынке, ожидая быстрого роста в течение следующего десятилетия

(продолжение)

10 августа 2016 г. — Раунд-Рок, Техас

Toppan Printing Co., Ltd. разработала фотомаску нового поколения EUV для передовых полупроводников. Новая фотомаска сводит к минимуму нежелательное отражение света на периферийных участках во время воздействия EUV* 9.

0076 1 технология производства полупроводников нового поколения. (продолжение)

24 февраля 2016 г. — Токио, Япония

Toppan Printing Co., Ltd. (Toppan), ведущий мировой производитель фотошаблонов, объявил сегодня о разработке фотошаблона EUV следующего поколения для передовых полупроводников. (продолжение)

24 февраля 2016 г. — Токио, Япония

Toppan Photomasks, Inc. (TPI), привилегированный глобальный партнер в области фотомаски, объявила сегодня, что д-р Франклин Кальк, главный технический директор, был удостоен на конференции SPIE Photomask Technology в этом году награды Lifetime Achievement Award. Эта награда присуждается в знак признания его значительного вклада в индустрию фотомаски и лидерства в развитии передовой инфраструктуры. (продолжение)

1 октября 2015 г. — Раунд-Рок, Техас

РАУНД-РОК, Техас — 14 января 2014 г. — Компания Toppan Printing Co., Ltd. сегодня объявила о своих планах по расширению бизнеса подложек с шариковой решеткой (FC-BGA) путем создания новой производственной линии на заводе компании в Ниигате в г. (город Сибата, префектура Ниигата, Япония). (продолжение)

14 января 2014 г. — Раунд-Рок, Техас

РАУНД-РОК, Техас — 9 января., 2014 — Toppan Photomasks, Inc. (TPI), привилегированный глобальный партнер в мире по производству фотомасок, с прискорбием сообщает о смерти президента и исполнительного директора Дэвида Мюррея после долгой борьбы с раком. Мистеру Мюррею было 55 лет. (продолжение)

9 января 2014 г. — Раунд-Рок, Техас

Toppan Photomasks, Inc. (TPI), привилегированный глобальный партнер в области фотомаски, объявила сегодня о том, что Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS), ведущий мировой поставщик высокопроизводительных и мобильных решений, наградила компанию званием «Поставщик Награда за 2012 год. (продолжение)

1 июля 2013 г. — Раунд-Рок, Техас

Toppan Photomasks, Inc. (TPI) и GLOBALFOUNDRIES Inc. сегодня объявили о заключении окончательных соглашений о продлении совместного предприятия Advanced Mask Technology Center (AMTC) в Дрездене, Германия, по крайней мере, до 2017 года. AMTC поставляет передовые фотомаски для GLOBALFOUNDRIES и европейской и глобальной клиентской сети TPI. (продолжение)

12 декабря 2012 г. — РАУНД-РОК, Техас, и МИЛПИТАС, Калифорния,

Toppan Photomasks, Inc., дочерняя компания Toppan Printing Co., Ltd., сегодня объявила о планах расширить свои производственные мощности в Шанхае, чтобы лучше обслуживать быстрорастущую полупроводниковую промышленность Китая. (продолжение)

18 ноября 2011 г. — Шанхай, Китай

Новая награда Toppan стала четвертой за шесть лет; критерии включали технологию, поддержку, качество и оперативность (продолжение)

17 мая 2011 г. — Раунд-Рок, Техас

Honor признает исключительную производительность и постоянное совершенствование. Эта награда 2010 года является четвертой, полученной Toppan. (продолжение)

19 апреля 2011 г. — Раунд-Рок, Техас

Посмотреть все

Фотомаска — Semiconductor Engineering

Фотомаска в основном представляет собой «шаблон» конструкции ИС. Маска бывает разных размеров. Обычный размер 6-х 6 дюймов. Базовая и простая маска состоит из кварцевой или стеклянной подложки. Фотошаблон покрыт светонепроницаемой пленкой. В более сложных масках используются другие материалы.

Одно время термин «фотомаска» использовался для описания «мастер-шаблона», используемого со степпером 1X или системой литографии. Термин «сетка» использовался для описания «мастер-шаблона», используемого в шаговом двигателе 2X, 4X или 5X. Сегодня термины «фотомаска» и «сетка» взаимозаменяемы. В основном это одно и то же.

Куда подходит маска?
В процессе производства полупроводников производитель микросхем сначала разрабатывает микросхему, которая затем преобразуется в формат файла. Затем на предприятии по производству фотошаблонов на основе этого формата изготавливается фотошаблон. Маска является основным шаблоном для дизайна ИС. Он повторяет оригинальный дизайн IC.

В фабрике маска и пластина вставляются в литографический сканер. На пластину наносится фоторезист — светочувствительный материал. Во время работы сканер генерирует свет, который проходит через набор проекционной оптики и маску в системе. В ходе этого процесса на пластине формируются желаемые элементы.

Изготовление масок
Чтобы замаскировать фотомаску, первым шагом является создание подложки или заготовки маски. Базовая заготовка состоит из кварцевой или стеклянной подложки, покрытой непрозрачной пленкой.

У производителя фотошаблонов материалы на заготовке наносятся по образцу с помощью электронно-лучевого устройства записи маски. Затем рисунок травится и очищается, создавая фотошаблон.

Затем маска проверяется на наличие дефектов. Наконец, поверх маски крепится пленка, тонкая мембрана, которая защищает маску от падающих частиц или загрязнения. Затем маска с пленкой сверху отправляется на фабрику.

Набор масок
Как правило, фотомаска состоит из шаблонов нескольких кристаллов определенной конструкции ИС. Плашки выровнены в ряды и столбцы. Все зависит от типа устройства.

В производственных целях вы не будете использовать ни одной маски. Для одного устройства требуется «набор масок». Другими словами, для одного устройства может потребоваться от 5 до 40 (или более) отдельных фотошаблонов, называемых «набором масок», согласно Compugraphics. По данным Compugraphics, для каждого этапа производственного процесса используется одна маска.

Это зависит от сложности устройства. Для сложного устройства потребуется больше масок. Для оптической маски 10 нм может потребоваться 76 отдельных масок по сравнению с примерно 46 для маски узла 28 нм. В каждом узле маска дороже.

Типы масок — оптические
В современных оптических литографических системах используются различные типы фотошаблонов. Система оптической литографии включает в себя источник света с различными длинами волн. Наиболее распространенные на сегодняшний день системы литографии используют источник света с длинами волн 248 нм и 193 нм.

В оптической литографии маска состоит из непрозрачного слоя хрома на стеклянной подложке. Один простой тип фотомаски называется бинарной маской.

Для этого изготовитель фотошаблонов протравливает хром в выбранных местах, обнажая стеклянную подложку. Хромированные материалы не протравлены в других местах. При работе свет попадает на маску и проходит через участки со стеклом, обнажая пластину. Свет не проходит через участки с хромом.

Другой тип оптической фотомаски называется маской с фазовым сдвигом. В масках с фазовым сдвигом, разработанных в 1980-х годах, используются различные материалы и структуры, которые улучшают качество изображения при построении рисунка.

Существует два типа масок фазового сдвига: чередующиеся и ослабленные. Маски переменного фазового сдвига напоминают бинарную маску. Разница в том, что стеклянные области делаются тоньше или толще.

«В фазосдвигающей маске с чередующейся апертурой свет на одной стороне каждой темной линии на 180 градусов не совпадает по фазе со светом на другой стороне. Это создает деструктивную интерференцию между апертурами с обеих сторон, делая линию темной, даже если она немного не в фокусе. Этот деструктивный интерференционный эффект также ослабляет обычное ограничение Рэлея, зависящее от длины волны, на ширину разрешаемой детали», — объяснил Марк Дэвид Левенсон, который изобрел маску с фазовым сдвигом, работая в IBM в 1919 году.80-е годы. (С тех пор Левенсон вышел на пенсию.)

Маски с ослабленным фазовым сдвигом также напоминают двоичную маску. Разница в том, что материал силицида молибдена (MoSi) заменяет хром. При работе свет попадает на маску.

«Поскольку MoSi не является непрозрачным, как хром, свет частично пропускается (обычно 6%), а фаза смещается, поэтому он примерно на 180 градусов отличается от света, который проходит только через стекло», — объяснил Брайан Каспрович, выдающийся член технического персонала компании Photronics.

 

Рис. 1. Схематическое изображение различных типов масок: (а) обычная (бинарная) маска; (б) маска переменного фазового сдвига; (c) ослабленная маска фазового сдвига. Источник: Википедия

Маски EUV
Используя длину волны 13,5 нм, литография в экстремальном ультрафиолете (EUV) представляет собой технологию нового поколения, позволяющую наносить крошечные элементы на пластины.

Маски EUV отличаются от оптических масок. В отличие от оптических масок, которые пропускают свет, современные бинарные маски EUV отражают свет с длиной волны 13,5 нм. Маска EUV состоит из 40–50 чередующихся слоев кремния и молибдена на подложке, в результате чего получается многослойный пакет толщиной от 250 до 350 нм. На многослойную стопку наносится покрывающий слой из рутения, за которым следует танталовый поглотитель.

Поглотитель представляет собой трехмерную деталь, выступающую над маской. Во время работы EUV-свет падает на маску под углом 6°.